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2SAR586D3

更新时间:2025-06-26 19:01:24

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深圳市伟欣华电子有限公司
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TO252/2025+
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QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

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原厂直销，提供技术支持

北京睿宸齐芯科技有限公司
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NEC/ISC
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双极型晶体管BJT,原装国产替代

深圳市百嘉顺实实业有限公司
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TO252/21+
罗姆ROHM原厂合作商可订货

深圳市泰佳兴电子有限公司
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罗姆/ROHM
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大量现货，提供一站式配单服务

无锡固电半导体股份有限公司
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ISC/无锡固电
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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深圳原装现货，可看货可提供拍照

华芯盛世半导体（深圳）有限公
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特价支持，只做原装现货

深圳市博盛达电子有限公司
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深圳市力拓辉电子有限公司
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2SAR586D3 概述

2SAR586D3是东芝(Toshiba)生产的P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23F封装。该MOSFET具有低导通电阻特性，在4.5V栅极电压下典型值为0.12Ω，有助于降低导通损耗。其最大漏极 - 源极电压(VDS)为-20V，连续漏极电流(ID)在25°C时为-3.1A。该器件适用于各种便携式设备中的电源管理应用，如负载开关、电池保护电路等。由于其小尺寸封装和良好电气特性，在空间受限的设计中非常有用。在实际应用中，设计者需注意保证栅极驱动电压足够以确保MOSFET充分导通，并且要考虑散热设计以避免过热影响性能。例如在电池保护电路中，可将其与控制IC配合使用来实现过流和过压保护功能。

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