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2SD1980TL

更新时间:2024-03-28 21:07:39
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  • 厂家:Rohm
  • 描述: TRANSISTOR D-PAK;BCE NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:1000; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-428; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Current Ic Continuous a Max:1A; Gain Bandwidth ft Typ:80MHz; Hfe Min:1000; Package / Case:SOT-428; Power Dissipation Pd:1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 1mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大:10W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:CPT3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:2SD1980TL-ND2SD1980TLTR
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