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2SK1917-M

更新时间:2025-05-18 07:19:28

供应商
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说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市芯创恒微电子有限公司
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深圳市天芯半导体科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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深圳市花芯科技有限公司
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深圳市楚胜电子有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

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2SK1917-M 概述

2SK1917-M是由Toshiba（东芝）公司生产的N沟道MOSFET。该元件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。其最大漏极-源极电压(VDSS)为50V，在室温下连续漏极电流(ID)可达3.6A。它在电源管理电路、直流-直流转换器以及电机驱动等场景中表现出色。在实际应用中，为了确保最佳性能，推荐在栅极串联一个适当的电阻以限制开关速度并减少振铃现象。当用于电机驱动时，需注意散热设计，避免因过热导致的性能下降或损坏。如果应用于开关电源，应合理设置栅极驱动电压，通常保持在10V左右，以确保MOSFET处于最佳导通状态。此外，在布局PCB时，尽量减小源极引脚的走线长度，有助于降低寄生电感对电路性能的影响。

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