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AO4402G

更新时间:2025-05-22 02:07:56

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封装/批号
说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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AO4402G 概述

AO4402G是由Alpha & Omega Semiconductor公司生产的P沟道MOSFET。该芯片采用先进的功率半导体工艺制造，具有低导通电阻特性。基础描述方面，它是一款表面贴装器件，采用了紧凑型的DFN封装形式，这使得它在空间受限的应用中非常适用。其栅极驱动电压范围较宽，方便与多种控制电路进行集成。典型应用场景包括电源管理、负载开关以及电池保护电路等。在电源管理系统中，它可以作为高效的同步整流器或者初级侧开关使用，有助于提高整体电源转换效率。在负载开关应用里，能够快速地接通和关断负载，减少不必要的功耗。在电池保护电路中，可用于防止过充、过放等故障情况对电池造成损害，并且由于其低导通电阻，在正常工作时产生的热量较少，有利于延长设备使用寿命并提高系统可靠性。

AO4402G 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.9 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3300 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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广东微尔科技有限公司

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