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AO4403

更新时间:2023-02-02 16:58:55
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  • 厂家:飞思卡尔
  • 描述:
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:46 毫欧 @ 6.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:11.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1128pF @ 15V
  • 功率 - 最大:3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOIC
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:785-1019-6
AO4403 相关信息
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  • 分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响
    ...消散,局部过热产生的热不平衡的影响减小。实验波形如图2(c)、(d)所示。 3.2 阈值电压的影响 通常对于功率MOS管,不同的阈值电压对应于不同的转折电压,阈值电压越低,转折电压也越低。选用AO4403和AO4407A作对比实验,均为SO8封装,阈值电压不同,两个MOS管具体的参数如表2所示。输入电压为12 V,R2=100 kΩ,C2=1 μF,可以看到两者具有相同的2.7 A浪涌电流,AO4403的米勒平台时间...
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