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AO6602

更新时间:2025-07-09 06:18:53
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AO6602 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    75 毫欧 @ 3.1A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.1A, 2.7A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    240pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    1.15W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSOP
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    剪切带 (CT)
  • 其它名称
    785-1077-1
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