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BLF6G10LS-200

更新时间:2025-06-13 10:24:24
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BLF6G10LS-200 规格参数
  • 制造商
    NXP
  • 产品种类
    射频MOSFET电源晶体管
  • 配置
    Single
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    65 V
  • 漏极连续电流
    49 A
  • 闸/源击穿电压
    13 V
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    SOT502B
  • 封装
    Tube
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 产品类型
    MOSFET Power
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.06 Ohms
  • 工厂包装数量
    20
  • 零件号别名
    BLF6G10LS-200,112
BLF6G10LS-200 Datasheet数据手册 PDF下载
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