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BSH108,215

更新时间:2025-05-20 01:55:06
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BSH108,215外观图

BSH108,215

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSH108,215 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    120 毫欧 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    190pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    830mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    TO-236AB
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-6216-6
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