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bsm100gb120dn2价格行情

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BSM100GB120DN2 MODULE 2006/4/26 0:00:00 330.0000/pcs
BSM100GB120DN2 5 2010/10/25 16:09:09 350.0000/pcs
BSM100GB120DN2 EUPEC 模块 N/A 2006/4/27 0:00:00 350.0000/pcs
BSM100GB120DN2 INFINEON 标准封装 09+ 500 2010/8/6 8:24:27 380.0000/pcs
BSM100GB120DN2 EUPEC 模块 03+ 2007/1/2 0:00:00 380.0000/pcs
BSM100GB120DN2 EUPEC 标准封装原装正品质量保证！！ 1 2010/10/26 9:34:50 390.0000/pcs
BSM100GB120DN2 Infineon 标准封装原装正品质量保证！！ 1 2010/10/26 9:34:32 390.0000/pcs
BSM100GB120DN2 EUPEC 100A/1200V/IGBT/2U 100 2010/10/25 15:50:58 400.0000/pcs
BSM100GB120DN2 EUPEC NEW & ORG 200 2010/9/20 22:31:50 400.0000/pcs

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相关资讯

制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 模块
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1200 V
集电极—射极饱和电压:
2.5 V
在25 C的连续集电极电流:
150 A
栅极—射极漏泄电流:
200 nA
功率耗散:
800 W
最大工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
Half Bridge2
栅极/发射极最大电压:
20 V
安装风格:
Screw
工厂包装数量:
500

变频器配件
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集电极—射极饱和电压:

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功率耗散:

最大工作温度:

封装 / 箱体:

栅极/发射极最大电压:

安装风格:

工厂包装数量:

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