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BSO615N G

更新时间:2025-05-28 19:19:50
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BSO615N G 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    SIPMOS®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    150 毫欧 @ 2.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 20µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    380pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    PG-DSO-8
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSO615N G-NDBSO615NGTBSO615NGXTBSO615NTBSO615NXTINTRBSO615NXTINTR-NDSP000216316
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