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BSP149 L6327

更新时间:2025-06-09 10:53:36
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BSP149 L6327 规格参数
  • 数据列表
    BSP149
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    SIPMOS®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    660mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.8 欧姆 @ 660mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 400µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    430pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    PG-SOT223-4
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSP149 L6327-NDBSP149L6327INTRBSP149L6327XTSP000089214
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