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EPC8010

更新时间:2025-07-01 07:47:18
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  • 大小：1711KB
  • 厂家：
  • 描述：TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
  • 现有数量：19,853现货
  • 价格：1 : ￥17.01000剪切带（CT）2,500 : ￥7.77561卷带（TR）
  • 系列：eGaN?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 500mA，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.48 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）：+6V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：55 pF @ 50 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：模具
  • 封装/外壳：模具
芯知识
1.6万
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广东微尔科技有限公司
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