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FDD10N20LZTM

更新时间:2025-05-18 14:32:11
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FDD10N20LZTM外观图

FDD10N20LZTM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
FDD10N20LZTM 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    UniFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    360 毫欧 @ 3.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    585pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    56W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    TO-252，（D-Pak）
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.0万
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广东微尔科技有限公司
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