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原装现货 力挺实单优势出
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30000
N/A/22+
整包不拆
FDD4141
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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Fairchild
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道powertrench mosfet产品fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141具有低导通阻抗(rds(on))，与目前的mosfet比较能降低栅极电荷(qg)达50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百khz应用的必备条件。尽管其它mosfet解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench技术将n沟道mosfet的特性运用在p沟道mosfet中，使到p沟道mosfet具备n沟道mosfet的性能，并表现出更低的rds (on)和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百khz的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。 fdd4141是飞兆
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，惟这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 k
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 khz 的高
飞兆半导体公司推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，惟这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 khz 的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 khz 的
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