带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
2000
TO252/23+
四雄微原装价优实在
FDD4141
8731
TO252AA/26+25+
原装微信回复快
FDD4141
29650
TO252/23+
QQ询价原装真实库存现货热卖
FDD4141
12500
TO252/23+
只做原装 优势渠道 合作共赢
FDD4141
10000
TO252/2024+
进口原装，现货热卖
FDD4141-F085
2500
TO252/1748+
原装现货热卖中
FDD4141
13780
TO252/23
23
FDD4141
100000
TO252/24+
1比1质量完美通用/包上机可供更多
FDD4141-F085
15000
TO252/24+
百分百原装，真实现货
FDD4141-F085
12500
DPAKTO252AA/18/19+
100%全新进口原装长期供应绝对优势价格诚信经营
FDD4141
80000
-/23+
原装现货
FDD4141
23641
TO252/23+
原装现货 有单就出，一站式BOM配单
FDD4141
42100
TO252/24+
只做原装，提供一站式BOM表电子配单服务
FDD4141
300000
TO252/23+
一级代理商可提供技术方案支持
FDD4141
2880
TO252/25+
原厂总代，买UMW找友利创就购了
FDD4141
5200
TO252/20+
公司现货原装
FDD4141
5000
-/24+
原厂直销，提供一站式服务
FDD4141
20000
TO252/26+
官网可查icscjh.com
FDD4141
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDD4141PDF下载
FDD4141_F085
Fairchild
FDD4141_F085PDF下载
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道powertrench mosfet产品fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141具有低导通阻抗(rds(on))，与目前的mosfet比较能降低栅极电荷(qg)达50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百khz应用的必备条件。尽管其它mosfet解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench技术将n沟道mosfet的特性运用在p沟道mosfet中，使到p沟道mosfet具备n沟道mosfet的性能，并表现出更低的rds (on)和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百khz的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。 fdd4141是飞兆
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，惟这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 k
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 khz 的高
飞兆半导体公司推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，惟这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 khz 的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出40v p沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 khz 的
联系人：
联系方式：
