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FDD4141

更新时间:2025-05-16 17:34:43

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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云汉时代半导体(深圳）有限公
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FDD4141

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD4141 概述

FDD4141是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，适用于表面贴装工艺。这款MOSFET的最大漏极-源极电压(VDS)为40V，连续漏极电流(ID)可达12A。其低导通电阻(RDS(on))特性有助于减少功耗并提升系统效率，在电源管理应用中表现突出。典型应用场景包括直流-直流转换器、电机驱动控制和负载切换等。在电机驱动电路中使用时，应确保栅极驱动电压足够高以充分开启MOSFET，同时要注意散热设计以避免过热损坏。对于直流-直流转换器应用，合理选择外部元件如电感和电容可以优化转换效率。

FDD4141 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2775pF @ 20V
功率 - 最大
2.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD4141-NDFDD4141TR

芯产品

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广东微尔科技有限公司

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