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FDD8880 MOSFET N-CH 30V 58A DPAK FDD8880PDF下载
FDD8880 N-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FDD8880PDF下载
FDD8880_08 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, ... FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FDD8880_08PDF下载
FDD8880_NL Power Field-Effect Transistor, 35A I... FAIRCHILD FDD8880_NLPDF下载

fdd8880价格行情

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历史最低报价：￥0.2000 历史最高报价：￥3.0000 历史平均报价：￥0.9678

型号厂家封装批号数量日期价格
FDD8880 FAIRCHIL to-251/252 06+ 9000 2013/5/22 21:46:23 0.2000/pcs
FDD8880 FAIRC TO-252(DPAK) 10+ 30000 2011/12/1 14:35:26 0.3500/pcs
FDD8880 仙童 TO252 07+ 2009/3/27 0:00:00 0.4000/pcs
FDD8880 FAIRCHILD TO-252 08+/09+ 30000 2011/12/3 21:50:02 0.4500/pcs
FDD8880 TO-252 FAIRC 04+ 2008/6/3 0:00:00 0.4800/pcs
FDD8880 FAIRCHILD 06+07+(PB-FREE) TO-252 2008/9/23 0:00:00 0.5000/pcs
FDD8880 飞思卡尔 TO-252 3L (DPAK) 12+PBF 25000 2013/5/17 9:55:29 0.5500/pcs
FDD8880 仙童 TO252/251 08+ 20000 2010/8/2 23:46:43 0.5500/pcs
FDD8880 仙童 TO252 05+ 2008/6/3 0:00:00 0.5500/pcs
FDD8880 FAIRCHILD TO-252 11+ 23000 2013/5/17 9:47:32 0.6000/pcs

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相关资讯

产品培训模块:
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装:
2,500
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
PowerTrench®
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
58A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
9 毫欧 @ 35A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1260pF @ 15V
功率 - 最大:
55W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:
TO-252-3
包装:
带卷 (TR)
其它名称:
FDD8880-NDFDD8880TR

功率器件市场缺口扩大厂商需提早备货
所以很多自己生产被动元件的小公司不是没订单死掉的，而是因为订单波动撑死的。例如foxconn经常就是给一些小工厂下大单，你工厂小生产不出来，就只好加大投入，增加工人，假如foxconn那天稍微订单减少点，你就资金周转不过来了，只有被他收购。另外飞兆的ka5l0380从2009年7月份到现在已经缺货2个月，价格也涨幅到3.6元人民币，市场出现了久违的火爆，为此飞捷公司积极备货fgl60n100bntd、rhrp860、fql40n50、fqd5n50c、isl9v3040s3s、fdd8880、sgs10n60rufdtu、sgl50n60rufdtu、fsbb20ch60、fqa9n90c等市场型号，以应对错综复杂的市场变化，同时也提醒您做好自己的生产计划，适当做些库存。我们预估未来几个个月功率器件价格大概整体会有3%-5%的提升。

FDFMA2N028Z FDFMA2P029Z FDFMA2P853 FDFMA2P853T FDFMA2P857 FDFMA2P859T FDFME3N311ZT FDFMJ2P023Z FDG6303N FDG901D

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产品培训模块:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

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