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FDD4243

更新时间:2025-07-04 17:15:02

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳市捷力华电子科技有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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深圳市凯斯宇科技有限公司
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深圳市旗杰科技有限公司
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一级代理商，现货直发，支持村田大量订货

深圳市捷力华电子科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市赛思尔科技有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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TOSHIBA/东芝
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深圳市星诚通电子有限公司
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库存现货

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云汉时代半导体(深圳）有限公
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深圳市捷立辉科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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一级代理/全新原装现货/长期供应

深圳市正纳电子有限公司
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Fairchild(飞兆/仙童)
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现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

深圳市新亿利电子有限公司
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原厂直销，提供一站式服务

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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80000
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原装现货

深圳市群川盛达电子有限公司
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QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

深圳市行进微电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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杭州芯易购科技有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD4243 概述

FDD4243是一款由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为-40V，在栅极驱动电压为-10V时，最大导通电阻仅为0.057Ω，这有助于减少导通损耗并提高效率。 FDD4243适用于多种应用场景，如电源管理电路、负载开关和DC-DC转换器等。由于其具备良好的热稳定性和电气性能，在需要高效能P沟道MOSFET的设计中被广泛使用。在实际应用中，应确保栅极驱动电压足够以达到最佳导通状态，并且注意散热设计以保证器件工作在安全温度范围内。对于高频应用，需考虑其寄生电容的影响并进行相应的优化。

FDD4243 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
44 毫欧 @ 6.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1550pF @ 20V
功率 - 最大
3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD4243TR

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