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FDD6030L

更新时间:2025-06-18 00:02:06

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 12A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD6030L 概述

FDD6030L是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，适用于多种低电压应用。它具有低导通电阻和快速开关特性，使得它在电路设计中非常高效。该元件的最大漏源电压为30V，适合用于直流-直流转换器、负载开关以及电池管理等场景。在实际应用中，FDD6030L常被用作同步整流器或主开关管，特别是在需要高效能量转换的便携式设备中。例如，在手机充电器的降压变换电路里，可以利用其低Rds(on)值减少功耗并提高效率。使用时需注意栅极驱动电压的选择，确保MOSFET完全开启以实现最佳性能。此外，合理布局PCB走线，减小寄生电感对高速开关过程的影响也非常重要。

FDD6030L 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14.5 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1230pF @ 15V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)

芯知识

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