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FDMS3660S

更新时间:2025-05-16 14:01:51
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FDMS3660S外观图

FDMS3660S

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN

  • 封装:8-PowerTDFN
FDMS3660S 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    13A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    8 毫欧 @ 13A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1765pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    Power56
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDMS3660SFSTR
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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