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FDMS86101DC

更新时间:2025-06-13 04:41:49
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  • FDMS86101DC

    FDMS86101DC

  • 5971

  • onsemi(安森美)

  • PQFN8(5x6)/25+26+

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FDMS86101DC外观图

FDMS86101DC

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN

  • 封装:8-TDFN 裸露焊盘
FDMS86101DC 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    Dual Cool™, PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    14.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3135pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    3.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    8-PQFN（5x6）
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
385
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广东微尔科技有限公司
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