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FDS6912

更新时间:2025-05-16 02:23:59

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FDS6912

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS6912 概述

FDS6912是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的双N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其典型应用场景包括负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率控制电路。由于其栅极电荷较低，能够有效降低驱动损耗，在高频开关应用中表现尤为出色。在实际设计中，建议注意布线以减小寄生电感，并确保散热良好，避免过热导致性能下降或损坏。对于需要高效能和紧凑设计的便携式电子设备，FDS6912是一个理想的选择。使用时需参考具体的应用条件和环境要求进行合理选型和配置。

FDS6912 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
740pF @ 15V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)

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