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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 20...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)近日推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv的esd (hbm)电压保护，较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm)针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm)非常适合于15”以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz (rds(on) = 7mohm)则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv 的esd (hbm) 电压保护，较市场现有器件高出90%。 fds881xnz系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗 (rds(on)) mosfet (包括rds(on) 低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm) 非常适合于15” 以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv 的esd (hbm) 电压保护，较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗 (rds(on)) mosfet (包括rds(on) 低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm) 非常适合于15” 以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv 的esd (hbm) 电压保护，较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗 (rds(on)) mosfet (包括rds(on) 低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm) 非常适合于15” 以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv的esd(hbm)电压保护，较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm)非常适合于15’以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。 fds881xnz系列的主
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)近日推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv的esd (hbm)电压保护，较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm)针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm)非常适合于15”以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz (rds(on) = 7mohm)则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。
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