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FDS6912A

更新时间:2025-07-03 10:36:55

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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深圳市龙胜微科技有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳萤美电子科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包

深圳市龙胜微科技有限公司
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FAIRCHILD
SOP8/1709+
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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一级代理
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深圳市赛思尔科技有限公司
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原装现货长期供应

深圳市优尚半导体科技有限公司
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提供BOM一站式配单服务

深圳市威雅利发展有限公司
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SOP8/2022+
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杭州丹骏电子科技有限公司
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FAIRCHILD
SOP8/7
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深圳市驰源科技有限公司
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FAIRCHIL
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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市新美电子有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市金胜达微科技有限公司
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FDS6912A

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS6912A 概述

FDS6912A是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其典型应用场景包括直流-直流转换器、负载开关和电池充电电路等。由于其低栅极电荷和低反向传输电容，这款MOSFET非常适合高频操作，有助于提高系统效率并减少功耗。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够以实现最低的导通电阻，并注意散热设计以维持稳定工作温度。对于负载开关应用，需合理选择外部元件参数，如栅极电阻，来优化开关速度与EMI性能之间的平衡。

FDS6912A 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
575pF @ 15V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS6912ATR

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