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FDZ661PZ

更新时间:2025-06-04 03:21:48

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FDZ661PZ

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP

封装:4-XFBGA，WLCSP

FDZ661PZ 概述

FDZ661PZ是Fairchild Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合电池供电设备中的电源管理应用。其最大漏源电压为-20V，适用于便携式设备、负载开关以及充电电路中。在便携式电子产品中，FDZ661PZ常用于控制电源路径，能够有效降低功耗并提高系统效率。由于其封装小巧（SOT-23），特别适合空间受限的设计。使用时应注意栅极驱动电压的选择，确保完全开启MOSFET以达到最佳性能。在设计电路时，推荐添加适当的栅极电阻以控制开关速度，并防止振荡现象的发生。此外，需注意静电防护措施，避免损坏敏感的MOS结构。

FDZ661PZ 规格参数

标准包装
5,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
555pF @ 10V
功率 - 最大
400mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-XFBGA，WLCSP
供应商设备封装
4-WLCSP
包装
带卷 (TR)

芯知识

3.3万

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