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FES1JE

更新时间:2025-06-09 06:58:20

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FES1JE 概述

FES1JE是安森美半导体生产的一款P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为-4.5V时，最大导通电阻仅为0.026欧姆，有助于降低导通损耗。其击穿电压为-30V，适合用于低压电路中。典型应用场景包括负载开关、电源管理以及电池保护电路等。在电池供电设备中，可用作高效电子开关控制电流的通断。由于其快速开关特性和低栅极电荷，也适用于高频DC-DC转换器设计。使用时应注意遵循推荐的PCB布局规则以确保良好散热性能，并根据具体应用选择合适的栅极驱动电压。

FES1JE 规格参数

现有数量
16,705现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3 V @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 μA @ 600 V
不同?Vr、F 时电容
20pF @ 4V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-219AA
供应商器件封装
F1A（DO219AA）
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

芯知识

2.1万

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广东微尔科技有限公司

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