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FMH10N80E

更新时间:2025-06-08 16:46:30

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FMH10N80E 概述

FMH10N80E是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高电压和大电流应用场合。其最大漏源电压（Vds）为800V，连续漏极电流（Id）可达10A，具备低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。此款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种工业控制设备中。在开关电源设计中，它能有效减少开关损耗，提升转换效率。在电机驱动电路里，凭借其快速的开关速度和优秀的热稳定性，可以确保系统的可靠运行。使用时应注意散热设计，合理选择栅极电阻以匹配驱动电路，防止过冲导致的击穿风险。建议在实际应用前查阅最新的数据手册，并根据具体需求进行适当的外围电路配置。

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