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FMI06N80E

更新时间:2025-06-23 20:46:35

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FMI06N80E 概述

FMI06N80E是由Force Motor Integrated公司生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频应用场合。其最大漏源电压（Vds）可达800V，连续漏极电流（Id）为6A，非常适合于电源管理、DC-DC转换器以及逆变器等需要高效能开关元件的领域。在工业控制设备中也常见其身影，用于提高系统的整体效率与稳定性。使用时需注意栅极驱动电压的选择，确保MOSFET能完全开启以降低损耗。设计电路时应考虑适当的散热措施，防止因过热导致性能下降或损坏。

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