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FQD13N06TM

更新时间:2025-06-19 03:49:35

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
FQD13N06TM
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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1比1质量完美通用/包上机可供更多

深圳市广弘电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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5000
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TO252/24+
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深圳市华美锐电子有限公司
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只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市赛美科科技有限公司
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一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市金科创世纪电子有限公司
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深圳市兴中芯科技有限公司
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8000
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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杭州维库信息科技有限公司
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
原厂渠道，现货配单

深圳市誉辉天成电子有限公司
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誉辉天成，实单必成

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只做原装进口现货，专注配单

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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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6500
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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市能元时代电子有限公司
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深圳中和芯电子有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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37200
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FQD13N06TM外观图

FQD13N06TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD13N06TM 概述

FQD13N06TM是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道MOSFET。该器件采用TO-252封装，适用于中低压应用场合。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，使其在电源管理电路中表现出色。其典型应用场景包括直流-直流转换器、电机驱动、负载开关以及各类功率控制电路。特别是在消费类电子产品和工业设备中，FQD13N06TM常被用于提高能效和减少热损耗。在实际应用中，建议关注栅极驱动电压的设计，确保可靠开启和关闭MOSFET。对于高频应用，需优化PCB布局以减少寄生电感和电容的影响。在进行电路设计时，应注意适当散热措施，以维持器件工作温度在安全范围内，从而保证长期可靠性。

FQD13N06TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
310pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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