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FQD2N90TM

更新时间:2025-05-20 18:25:19

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
FQD2N90TM
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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TO252/2046+
-

深圳市硅诺电子科技有限公司
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89000
FAI
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原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市宏创兴泰电子有限公司
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5000
Freescale(飞思卡尔)
-/-
有上有货原装现货可看货，提供配单服务

深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市港深电子有限公司
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原装现货，市场价格

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300000
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
Freescale(飞思卡尔)
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Fairchild/ON
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
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只做原装，提供一站式BOM配套服务

深圳市永贝尔半导体有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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现货假一罚万只做原厂原装现货

深圳市毅创腾电子科技有限公司
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10000
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TO252/-
原装原盘原盒可追溯

北京天阳诚业科贸有限公司
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现货常备库存京北通宇商城可查价格

深圳市米数科技有限公司
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只做原装，价格市场

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深圳市颢天电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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FQD2N90TM外观图

FQD2N90TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD2N90TM 概述

FQD2N90TM是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用。它具有低导通电阻和快速开关特性，能够降低功率损耗并提高系统效率。该MOSFET的最大漏极-源极电压（Vds）为900V，最大连续漏极电流（Id）在25°C时为1.7A，这使其非常适合用于高电压应用场合如交流-直流电源转换器、DC-DC转换器以及照明控制系统等。在实际应用中，FQD2N90TM通常被用作初级侧开关，在反激式变换器或正激式变换器中表现尤为突出。为了确保最佳性能，建议在PCB设计时保持栅极驱动线路尽可能短以减少寄生电感，并且合理选择栅极电阻值来优化开关速度与EMI之间的平衡。此外，应注意散热设计，保证器件工作在安全温度范围内。

FQD2N90TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.2 欧姆 @ 850mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
500pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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