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FQD2N60CTM

更新时间:2025-06-13 09:28:29

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市科昂电子集团有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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香港晨兴安富利电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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FQD2N60CTM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD2N60CTM 概述

FQD2N60CTM是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产。它采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其漏源电压(VDS)可达600V，连续漏极电流(IDOSFET适用于多种高压应用，如交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)电源转换器、电机驱动以及照明控制系统。在电源转换电路中，可作为初级侧开关使用，有助于提高效率并减少热量产生。设计时需注意栅极驱动电压的稳定性以确保可靠开关操作。

FQD2N60CTM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 欧姆 @ 950mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
235pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD2N60CTM-NDFQD2N60CTMTR

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