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FQD5P20TM

更新时间:2025-05-22 17:02:38

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
FQD5P20TM
BOM配单
原厂代理，专业配单，买原装料，找香港晨兴安富利
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深圳市佳丽达电子有限公司
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认证现货
10064
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TO252/24+/26+
QQ询价原装真实库存现货热卖

深圳市金城微零件有限公司
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优势
2000
FAIRCHILD/仙童
TO252/18+
-

深圳市佳丽达电子有限公司
FQD5P20TM
优势
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深圳市英德州科技有限公司
FQD5P20TM
优势
56120
ON(安森美)
DPAK/23+
公司现货直销原装支持实单不止销售也可回收

深圳市百达威尔科技有限公司
FQD5P20TM
优势
2500
Freescale(飞思卡尔)
TO252/22+
只做原装欢迎监督

深圳市芯福林电子科技有限公司
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86
ON/安森美
18+/TO252
原装现货力挺实单

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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300000
onsemi(安森美)
TO252/23+
一级代理商可提供技术方案支持

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
ON Semiconductor
MOSFET PCH 200V 3.7A DPAK/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市芯作为技术有限公司
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35500
ON(安森美)
DPAK/25+26+
原盒原装现货假一赔十

深圳市岳泰达电子有限公司
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12500
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16年老牌企业原装低价现货

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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80000
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原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
Freescale(飞思卡尔)
-/25+
只做原装，可提供技术支持及配单服务

深圳市威雅利发展有限公司
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8700
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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行业十年，价格超越代理，支持权威机构检测

深圳市创芯联盈电子有限公司
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官网可查icscjh.com

深圳市芯乐创科技有限公司
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fsc
-/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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9400
ON
N/A/23+
原装现货

深圳市科翼源电子有限公司
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N/A/26+
原装现货

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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ON/安森美
N/A/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市杰旭鑫科技有限公司
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12500
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只做全新原装，特价

现代芯城（深圳）科技有限公司
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一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市莱克讯科技有限公司
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22568
ON
TO252/1906+
原包装正品现货库存-正规渠道增值税票

蓝界科技（深圳）有限公司
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4000
Fairchild Semiconductor
16+/17+
代理直销，公司原装现货供应

深圳市智慧华芯电子有限公司
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10000
ON(安森美)
DPAK/25+
原装现货深圳现货

深圳市纳艾斯科技有限公司
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60000
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TO252/25+
只做自己原装现货，10年保证

深圳市南科功率半导体有限公司
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686868
NK/南科功率
TO252/2025+
南科国产替代

深圳市芯国创科技有限公司
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3000
N/A
TSSOP/24+
原装现货,提供优质配单服务

深圳市得捷芯城科技有限公司
FQD5P20TM
5068
ON/安森美
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

深圳市星宇佳科技有限公司
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10577
FAIRCHILD/仙童
TO252/11+
深圳原装进口星宇佳科技

深圳市金城微零件有限公司
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2000
FAIRCHILD/仙童
TO252/18+
-

深圳闻舟科技有限公司
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47500
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订货、调货

深圳市科圳威电子有限公司
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60701
Freescale(飞思卡尔)
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深圳原装现货，可看货可提供拍照

深圳市爱冠伟业电子有限公司
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11204
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-/-
只做原装，假一罚十

深圳市金泽芯通电子科技有限公
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云汉时代半导体(深圳）有限公
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深圳市亨运电子有限公司
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深圳市中纳芯电子有限公司
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FQD5P20TM外观图

FQD5P20TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD5P20TM 概述

FQD5P20TM是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK)封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效电源管理应用。其最大漏源电压（VDS）为200V，适合在高电压电路中使用。典型应用场景包括直流-直流转换器、交流-直流适配器、电机驱动以及各种工业控制设备中的电源开关。在设计时应注意栅极驱动电压的选择，确保可靠开启和关闭MOSFET。推荐在栅极串联一个小电阻（如10欧姆）以抑制振铃现象，并在源极和栅极之间并联一个齐纳二极管来保护栅氧化层免受过压损坏。实际应用中，建议参考数据手册中的安全工作区(SOA)曲线，避免超出最大额定值。对于高频应用，需优化PCB布局以减少寄生电感和电容的影响，从而提高整体系统效率。

FQD5P20TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
430pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD5P20TM-NDFQD5P20TMTR

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