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HGTP3N60B3D

更新时间:2025-05-16 10:07:13

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
HGTP3N60B3D
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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只做原装进口现货，专注配单

深圳市安富世纪电子有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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TO220/1932+
一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市赛美科科技有限公司
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一级代理品牌，价格优势，原厂原装，量大可以发货订

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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十年配单，只做原装

深圳市凯斯宇科技有限公司
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100%进口原装现货

无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市广弘电子有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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深圳市天芯半导体科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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6000
INTERSIL
TO220/22+
原装，提供BOM配单服务

深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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原装，提供BOM配单服务

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HGTP3N60B3D 概述

HGTP3N60B3D是一款由Hitachi（日立）生产的高压N沟道功率MOSFET，适用于高频开关电源应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于高效能的电源转换器设计。其最大漏源电压（Vds）可达600V，适用于中高功率需求的场合，如不间断电源（UPS）、电机驱动以及工业电源等场景。在实际应用中，使用HGTP3N60B3D时需注意栅极驱动电路的设计，确保足够的驱动电压以实现最佳性能，并避免因驱动不足导致的发热问题。此外，在PCB布局上应尽量减小寄生电感，以减少开关过程中的振铃现象，提高系统稳定性。对于需要并联使用的场合，需考虑均流措施，防止某一器件过载损坏。

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