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G30N02T

更新时间:2025-06-25 07:58:18

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
G30N02T
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
上传BOM

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中山市翔美达电子科技有限公司
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9666
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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300000
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
GOFORD(谷峰)
TO220/26+
-

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50
GOFORD(谷峰)
TO220/20+
20+

现代芯城（深圳）科技有限公司
G30N02T
64000
-
-/NEW
一级代理保证

现代芯城（深圳）科技有限公司
G30N02T
64000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市海淘芯城科技有限公司
G30N02T
50
GOFORD(谷峰)
TO220/26+
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G30N02T 规格参数

现有数量
316现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

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