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GSID200A170S3B1

更新时间:2025-05-17 11:57:51
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GSID200A170S3B1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Amp+?
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    停产
  • IGBT 类型
    -
  • 配置
    2 个独立式
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    400 A
  • 功率 - 最大值
    1630 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    1.9V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    1 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    26 nF @ 25 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    D-3 模块
  • 供应商器件封装
    D3
芯知识
3.3万
视频广告链接全球，智造未来：苏州固锝以创新矩阵亮相国际高端产业舞台
苏州固锝电子股份有限公司
GSID200A170S3B1推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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