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HMC669LP3TR

更新时间:2025-05-20 23:12:28

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HMC669LP3TR 概述

669LP3TR是Analog Devices公司（原Hittite Microwave Corporation）生产的高性能低噪声放大器。该芯片采用GaAs pHEMT工艺制造，专为微波应用设计，在24至36 GHz的频率范围内表现出色。其典型应用场景包括点对点和点对多点无线电、VSAT通信系统以及测试设备等需要高增益和低噪声系数的场合。在实际应用中，HMC669LP3TR通常用于接收机前端以提高信号灵敏度。它具有单电源供电能力，并且内部集成了隔直电容和偏置电路，简化了外围设计。建议在布局时靠近射频输入输出端口放置旁路电容，以确保稳定工作并减少寄生效应。此外，由于其高频特性，PCB材料应选择具有低损耗特性的板材如Rogers 4350或类似材料，以实现最佳性能。

HMC669LP3TR 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
频率
1.7GHz ~ 2.2GHz
P1dB
24dBm
增益
17dB
噪声系数
1.4dB
射频类型
LTE，WiMax
电压 - 供电
3V，5V
电流 - 供电
86mA
测试频率
1.7GHz ~ 2.2GHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
16-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装
16-QFN（3x3）

芯知识

2.2万

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