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FDD4243

更新时间:2025-07-04 17:15:02

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市捷力华电子科技有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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深圳市捷力华电子科技有限公司
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深圳市凯斯宇科技有限公司
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深圳市旗杰科技有限公司
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深圳硅原半导体有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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原装现货

瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
VBsemi(台湾微碧)
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深圳市安富世纪电子有限公司
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ST/意法
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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ON专线原厂渠道香港现货一周交期

深圳市福启达科技有限公司
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FDD4243

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD4243 概述

FDD4243是一款由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为-40V，在栅极驱动电压为-10V时，最大导通电阻仅为0.057Ω，这有助于减少导通损耗并提高效率。 FDD4243适用于多种应用场景，如电源管理电路、负载开关和DC-DC转换器等。由于其具备良好的热稳定性和电气性能，在需要高效能P沟道MOSFET的设计中被广泛使用。在实际应用中，应确保栅极驱动电压足够以达到最佳导通状态，并且注意散热设计以保证器件工作在安全温度范围内。对于高频应用，需考虑其寄生电容的影响并进行相应的优化。

FDD4243 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
44 毫欧 @ 6.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1550pF @ 20V
功率 - 最大
3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD4243TR

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