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HUFA76413D3S

更新时间:2025-06-25 10:21:34

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

HUFA76413D3S 概述

HUFA76413D3S是来自Alpha and Omega Semiconductor（AOS）的一款P沟道MOSFET。该器件采用D3S封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合在紧凑型设计中使用。其最大漏源电压为-30V，在栅极驱动电压为-4.5V时，典型导通电阻仅为20mΩ，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该MOSFET适用于多种应用领域，包括电池供电设备、便携式电子产品以及需要高效电源管理的电路中。例如，在笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统中，它可用于实现高效的电源转换和负载切换。此外，还可应用于电机驱动器中的功率控制部分，确保电机运行的稳定性和可靠性。在实际应用中，需注意保证栅极驱动电压满足要求，并合理设计散热方案以避免过热损坏。

HUFA76413D3S 规格参数

标准包装
1,800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
49 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
645pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件

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