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IGD616IT1

更新时间:2025-07-07 15:51:38

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
IGD616IT1
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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2000
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Modules/25+
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市科圳威电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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IGD616IT1 概述

IGD616IT1是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的低压MOSFET。它采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和栅极电荷特性，专为提高功率转换效率而设计。该元件通常应用于直流-直流转换器、负载点(POL)稳压器以及便携式设备的电源管理电路中。在实际应用时，IGD616IT1适合于需要高效能和紧凑设计的场合。例如，在笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统中，它可以用来实现高效的电压调节。由于其封装形式较小，因此非常适合空间受限的应用环境。使用时需注意遵循制造商推荐的PCB布局指南以确保最佳热性能和电气性能。在电路设计中，建议根据具体需求选择合适的栅极驱动电阻值来优化开关速度并减少EMI干扰。

IGD616IT1 规格参数

品牌：Power Integrations
描述：POWER MODULE GATE DRVR
包装：1/托盘
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：14V ~ 16V
输入类型：反相
上升/下降时间（典型值）：100ns，80ns
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：通孔
封装/外壳：36-DIP 模块，24 引线
供应商器件封装：模块

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