IGP10N60T
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原装代理现货,发货3.4天
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全新原装进口正品IGBT模块 功率模块现货直销质保一
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只做原装,也只有原装
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只做原装现货
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深圳原装现货价格优势
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原装现货,提供优质服务
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原装现货,支持BOM配单服务
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只有原装,提供一站配套服务
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原厂原装现货
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原装正品热卖,价格优势
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高品质 优选好芯
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全新原装现货,价格优势,供应中欢迎咨询
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房间现货,诚信经营,提供BOM配单服务
技术的基准 两种带二极管的ig bt的单位安培功率损耗平衡情况如图4所示。左条形图显示的是最新推出的emcon3技术与trenchstop-igbt(igbt3技术)结合的结果。如上所述, emcon3技术是针对更低开关损耗以及稍高正向压降进行优化的。右条形图显示的是emcon2技术与trenchstop-igbt结合的结果。本基准中使用的emcon2二极管是英飞凌fast-igbt系列中的反并联二极管。该二极管针对低正向压降进行了优化。在图4中使用的是igp10n60t, 热阻rthhs =4.2 k/w的散热器, 环境温度ta = 50℃, 使结温升高至125℃左右。开关频率fp为16 khz,证明了igp10n60t和emcon3技术结合的性能。从图5中可以看出,正如预期的那样,igbt导通损耗根本不受二极管影响。vf优化型二极管的qrr提高对igbt的动态损耗pvsi和二极管的动态损耗pvsd有很大影响。两种影响合在一起:二极管本身动态损耗的提高及其对igbt的影响,超越了vf优化型二极管导通期间的优势。该特性在开关频率为5 khz 左右时已经非常明显,
图)时的开关损耗 emcon3与emcon2技术的基准两种带二极管的igbt的单位安培功率损耗平衡情况如图4所示。左条形图显示的是最新推出的emcon3技术与trenchstop-igbt(igbt3技术)结合的结果。如上所述, emcon3技术是针对更低开关损耗以及稍高正向压降进行优化的。右条形图显示的是emcon2技术与trenchstop-igbt结合的结果。本基准中使用的emcon2二极管是英飞凌fast-igbt系列中的反并联二极管。该二极管针对低正向压降进行了优化。在图4中使用的是igp10n60t, 热阻rthhs =4.2 k/w的散热器, 环境温度ta = 50℃, 使结温升高至125℃左右。开关频率fp为16 khz,证明了igp10n60t和emcon3技术结合的性能。从图5中可以看出,正如预期的那样,igbt导通损耗根本不受二极管影响。vf优化型二极管的qrr提高对igbt的动态损耗pvsi和二极管的动态损耗pvsd有很大影响。两种影响合在一起:二极管本身动态损耗的提高及其对igbt的影响,超越了vf优化型二极管导通期间的优势。该特性在开关频率为5 khz 左右时已经非常明显,