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IMH10AT110

更新时间:2025-05-16 00:29:21

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IMH10AT110

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457

封装:SC-74，SOT-457

IMH10AT110 概述

IMH10AT110是由TT electronics公司生产的金属膜电阻。该电阻具有高稳定性与可靠性，适用于精密电路中。其标称阻值为11欧姆，功率额定值在特定条件下能满足大部分常规电路的需求。应用场景方面，IMH10AT110常用于工业控制设备、测试测量仪器以及通信设备等对精度和稳定性要求较高的场合。在使用时应注意工作环境温度，避免超过其规定的温度范围以免影响性能。如果将其用于电源滤波电路中，建议与其他元件合理布局以达到最佳滤波效果。同时，在进行电路焊接时要注意焊接时间和温度，防止因过热对电阻造成损坏。

IMH10AT110 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 10mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商设备封装
SMT6
包装
带卷 (TR)
其它名称
IMH10AT110TR

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