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IRF150

更新时间:2025-07-03 09:59:23

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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深圳市科昂电子集团有限公司
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深圳市蓝山航业科技有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司
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北京罗彻斯特电子科技有限公司
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真实原装现货，军工优势库位北京

深圳市奥诗达电子有限公司
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温岭市温峤腾飞电子元件经营部
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳诚思涵科技有限公司
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80000
INFINEON/英飞凌
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市港博科电子有限公司
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市优尚半导体科技有限公司
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北京杰创宏达电子有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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IRF150 概述

IRF150是由国际整流器公司（International Rectifier，现已被英飞凌收购）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高频开关应用。在电源管理领域，IRF150常用于直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及逆变器等场合。其优秀的热性能和电气特性使得它能在紧凑的设计中提供高效的能量转换。在实际电路设计时，需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET完全导通，同时要合理布局PCB以优化散热效果，避免过热损坏。对于高频率应用，还应考虑减少寄生电感和电容的影响，以提高系统整体效率。

IRF150 规格参数

典型关断延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
35 ns
典型栅极电荷@Vgs
50 → 125 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds
3700 pF V @ 25
安装类型
通孔
宽度
26.67mm
封装类型
TO-3
尺寸
39.95 x 26.67 x 7.87mm
引脚数目
2
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
150 W
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
0.065
最大连续漏极电流
38 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道类型
N
配置
单
长度
39.95mm
高度
7.87mm

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