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IRF5802

更新时间:2025-05-18 21:05:49

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IRF5802 概述

IRF5802是由International Rectifier公司（现已被Infineon Technologies收购）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的硅技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、直流-直流转换器以及逆变器等应用。在开关电源中，IRF5802能够有效降低开关损耗，提高电源效率。其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的复杂度并加快开关速度。此外，该MOSFET的最大漏源电压（Vds）为20V，连续漏极电流（Id）可达16A，适合用于低压大电流的应用场景。在实际应用中，设计者应注意合理选择栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保散热措施得当，避免因过热导致器件损坏。典型应用电路包括同步整流电路和半桥或全桥逆变电路。在这些电路中，需注意PCB布局以减小寄生电感对MOSFET开关性能的影响。

IRF5802 规格参数

现有数量
0现货
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 540mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
6.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
88 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6?（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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