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IRF650AP

更新时间:2025-06-16 08:20:22

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IRF650AP 概述

IRF650AP是由国际整流器公司（现属于英飞凌科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。此MOSFET的最大漏源电压（Vds）为100V，在室温下连续漏极电流（Id）可达17A。它常用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动以及不间断电源系统中。其优化的栅极电荷使得在高频开关应用中能够实现高效能操作，同时保持较低的开关损耗。在实际应用中，为了确保稳定工作，需注意栅极驱动电路的设计，保证足够的驱动电压（典型值为10V），以减小导通电阻。此外，在布局PCB时应尽量缩短源极引脚到地的走线长度，减少寄生电感对电路性能的影响。在高功率应用场景下，还需考虑适当的散热措施，如加装散热片或使用强制风冷。

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