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irf6608中文资料

  • 标准包装:

    4,800

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    13A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    9 毫欧 @ 13A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    3V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    24nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    2120pF @ 15V

  • 功率 - 最大:

    2.1W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    DirectFET? 等容 ST

  • 供应商设备封装:

    DIRECTFET? ST

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    IRF6608TR

  • DirectFET MOSFET芯片组最大化总线转换器

    ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω，可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ，是特别为次级同步整流优化的。这组mosfet可与最新面世的ir2086s全桥直流总线转换器集成电路和现有的irf6608 30v directfet mosfet结合起来用作次级栅钳位。

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