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IRF8113GPBF

更新时间:2025-05-18 11:20:16
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IRF8113GPBF外观图

IRF8113GPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF8113GPBF 规格参数
  • 标准包装
    95
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    17.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    5.6 毫欧 @ 17.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    36nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2910pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    2.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    管件
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