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irf830b中文资料

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 产品种类:

    MOSFET

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    500 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 30 V

  • 漏极连续电流:

    4.5 A

  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）:

    1.5 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-220AB

  • 封装:

    Tube

  • 下降时间:

    45 ns

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 功率耗散:

    73 W

  • 上升时间:

    40 ns

  • 工厂包装数量:

    50

  • 典型关闭延迟时间:

    85 ns

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