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IRL8113STRLPBF

更新时间:2025-06-10 17:32:51

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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRL8113STRLPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
105A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫欧 @ 21A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.25V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2840pF @ 15V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRL8113STRLPBF-NDIRL8113STRLPBFTR

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