当前位置:维库电子市场网>IC>irlb3036pbf 更新时间:2024-04-27 18:52:10

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irlb3036pbf中文资料

  • 特色产品:

    HEXFET? Power MOSFETs

  • 标准包装:

    50

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    195A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    2.4 毫欧 @ 165A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    2.5V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    140nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    11210pF @ 50V

  • 功率 - 最大:

    380W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商设备封装:

    TO-220AB

  • 包装:

    管件

  • IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道

    号 封装 bvdss (v) 在4.5vgs下 的 最大rds(on) (mω) 在25°c 下的id (a) 在4.5vgs下的 典型qg (nc) irls3034-7ppbf d2pak-7 40 1.7 *240 108 irlb3034pbf to-220 40 2.0 *195 108 irls3034pbf d2pak 40 2.0 *195 108 irls3036-7ppbf d2pak-7 60 2.2 *240 91 irlb3036pbf to-220 60 2.8 *195 91 irls3036pbf d2pak 60 2.8 *195 91 irls4030-7ppbf d2pak-7 100 4.1 190 87 irlb4030pbf to-220 100 4.5 180 87 irls4030pbf d2pak 100 4.5 180 87

irlb3036pbf替代型号

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