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IRLML5203

更新时间:2025-06-11 22:05:12

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IRLML5203 概述

IRLML5203是由国际整流器公司（现为英飞凌科技的一部分）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的Power MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为30V，适用于低压应用。封装形式为SOT-23，这种小型封装使其非常适合空间受限的设计。典型应用场景包括便携式设备、电池供电电路以及低功耗消费类电子产品中的负载开关和DC-DC转换器。由于其优秀的热性能和电气特性，在需要高效功率管理的场合表现尤为突出。使用时应注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启，同时要关注PCB布局以优化散热效果。例如，在设计一个手持设备的电源管理系统时，可将此MOSFET用于控制背光LED驱动电路中的电流路径。

IRLML5203 规格参数

现有数量
2,536现货
系列
UMW
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85mOhm @ 4.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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