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IXFN55N50F

更新时间:2025-06-08 18:29:48
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IXFN55N50F 规格参数
  • 制造商
    IXYS
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    500 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    55 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.085 Ohms
  • 配置
    Single Dual Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-227B
  • 封装
    Tube
  • 下降时间
    9.6 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    600 W
  • 上升时间
    20 ns
  • 工厂包装数量
    10
  • 典型关闭延迟时间
    45 ns
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